РАЗДЕЛЫ КАТАЛОГА

кто создал полупроводниковый лазер

 

 

 

 

Полупроводниковый лазер, полупроводниковый квантовый генератор, лазер с полупроводниковым кристаллом в качестве рабочего вещества.Чтобы получить генерацию когерентного излучения, т. е. лазерный эффект, необходимо создать особое состояние Миниатюрные полупроводниковые лазеры (лазерные диоды), которые наПри этом прибор будет надежно работать, и создавать очень длинный лазерный луч. Кстати говоря, попадание такого луча в глаза опасно, так как на малом расстоянии он способен повредить мягкие ткани. Весной 1960 года лазер Меймана дал первый в мире лазерный луч. А в 1962 году в лаборатории General Electric в Скенектади физик Роберт Холл первым создал полупроводниковый лазер. Весной 1960 года лазер Меймана дал первый в мире лазерный луч. А в 1962 году в лаборатории General Electric в Скенектади физик Роберт Холл первым создал полупроводниковый лазер. Лазерные диоды. Полупроводниковые или диодные лазеры очень важны для многих применений.Этой работы не было в программе, и она была представлена на обеде ( полупроводниковый лазер, работающий на этом принципе, был создан много позже, в 1968 Полупроводниковый лазер , полупроводниковый квантовый генератор, лазер с полупроводниковым кристаллом в качестве рабочего вещества.Чтобы получить генерацию когерентного излучения, т. е. лазерный эффект, необходимо создать особое состояние Полупроводниковый лазер , полупроводниковый квантовый генератор, лазер с полупроводниковым кристаллом в качестве рабочего вещества.Чтобы получить генерацию когерентного излучения, т. е. лазерный эффект, необходимо создать особое состояние Полупроводниковый лазер, полупроводниковый квантовый генератор, лазер с полупроводниковым кристаллом в качестве рабочего вещества.

Чтобы получить генерацию когерентного излучения, т. е. лазерный эффект, необходимо создать особое состояние Оказалось, что лазерный луч тоже можно подкраситьОднако недавно ленинградским физикам удалось создать полупроводниковые лазеры, возбуждаемые коротковолновым светом.(см. Полупроводники ).Лазерный эффект в П. л. связан в осн.

с межзонной люминесценцией (излучат. рекомбинацией созданных внешРис.4. Полупроводниковый лазер с резонатором Фабри Перо. Роль. зеркал-отражателей выполняют торцы полупроводникового кристалла. Полупроводниковый лазер одно из лучших прикладных достижений физики конца ХХ века.Достаточно сильный ток накачки IН создаёт инверсную населённость уровней. Инверсная населенность представляет собой состояние, когда на верхнем уровне Использование рассмотренных процессов излучательной рекомбинации в полупроводниках при инжекции неосновных носителей заряда через p-n-переход, позволило создать новые классы приборов — светодиоды и полупроводниковые инжекционные лазеры. Типичная структура полупроводникового лазера показана на рис.1. Снизу располагается слой арсенида галлия р-типа с дырочной проводимостью толщиной около 2 мкм. Полупроводниковый инжекционный лазер. Полупроводниковые инжекционные лазеры, так же, как и другой тип твердотельных излучателей светодиоды, являются важнейшим элементом любой оптоэлектронной системы. Полупроводниковые лазеры отличаются от газовых и твердотельных тем, что излучающие переходывыведен из состояния термодинамического равновесия, причем в нем созданы одновременно высокие концентрации электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне. В полупроводниковых лазерах используются главным образом бинарные соединения типа А3В5, А2В6, А4В6 .Один падающий е-н создают около 104 е-но дырочных пар. Из-за высоких скоростей релаксации носителей заряда к краям валентной зоны и зоны проводимости Полупроводниковый лазер, полупроводниковый квантовый генератор, лазер с полупроводниковым кристаллом в качестве рабочего вещества.Чтобы получить генерацию когерентного излучения, т. е. лазерный эффект, необходимо создать особое состояние Несмотря на то, что можно создать полупроводниковый лазер с практически любой длиной волны в диапазоне от ближнего УФ до ближнего ИК, существует стандартный набор длин волн, лазеров, оптимизированный для различных применений. История создания полупроводникового лазера. Началом развития отрасли полупроводниковой электроники можноБыла повышена рабочая температура приборов за счет замены германия кремнием, были созданы высоковольтные диоды и тиристоры. Полупроводниковый лазер — твердотельный лазер, в котором в качестве рабочего вещества используется полупроводник.А ещё через год одновременно в СССР и США был создан полупроводниковый лазер.

Полупроводниковые лазеры. Лазер на р-п-переходе. В собственном полупроводнике в зоне проводимости всегда имеются электроны, термически заброшенные из валентной зоны.Инверсию населенностей уровней полупроводника можно создать многими методами. Полупроводниковый лазер, полупроводниковый квантовый генератор, лазер с полупроводниковым кристаллом в качестве рабочего вещества.Чтобы получить генерацию когерентного излучения, т. е. лазерный эффект, необходимо создать особое состояние Прежде чем говорить о принципе работы полупроводникового лазера, напомним некоторые сведения о полупроводниках. [c.295].Созданы импульсные лазеры и лазеры непрерывного действия, даюпхие когерентное излучение в широком диапазоне длин волн от Типичным представителем полупроводниковых лазеров является лазерный диод — лазер, в котором рабочей областью является полупроводниковый p-n переход. За полупроводниковой революцией последует революция лазерная.По этой причине первый полупроводниковый GaAs лазер был создан уже через несколько месяцев после первого светодиода. Полупроводниковые лазеры. В лазерах этого типа активной средой является полупроводниковый кристалл.В полупроводниковом лазере роль резонатора выполняют параллельные грани кристалла, создаваемые методом скола. Полупроводниковый лазер, полупроводниковый квантовый генератор, лазер с полупроводниковым кристаллом в качестве рабочего вещества. В П. л в отличие от лазеров др. типов Полупроводниковый лазер — твердотельный лазер, в котором в качестве рабочего вещества используется полупроводник. В таком лазере, в отличие от лазеров других типов (в том числе и других твердотельных) При бомбардировке полупроводника быстрыми электронами с энергией W Полупроводниковый лазер 103—106 эв в кристалле рождаются электронно-дырочные пары количество пар, создаваемое одним электроном, Полупроводниковый лазерW/3E. Отдельно о полупроводниковых лазерах. Полупроводниковые лазеры требуют отдельного разговора.Инверсию в беспримесном полупроводнике можно создать разными способами. Использование лазерной электронно-лучевой трубки позволяет создать ОЗУ с емкостью 109-1010 бит и скоростьюДля достижения поставленной цели полупроводниковый лазер состоит из активного элемента в виде полупроводниковой пластины, закрепленной на торце ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЛАЗЕРЫ. Отличительные особенности полупроводниковых лазеров. Зоны разрешенных состояний.Пусть с помощью какого-либо внешнего воздействия (накачки) созданы избыточные по отношению к равновесным электроны в зоне проводимости Общие сведения о полупроводниковых лазерах. Полупроводниковый лазер - лазер на основе полупроводниковой активной среды.Лазерный эффект в полупроводниковых лазерах связан в осн. с межзонной люминесценцией (излучат. рекомбинацией созданных ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР - лазер на основе полупроводниковой активной среды.зонами, а не дискретными уровнями энергии (см. Полупроводники ).Лазерный эффект в П. л. связан в осн. с межзонной люминесценцией (излучат. рекомбинацией созданных внеш В полупроводниковом инжекционном лазере (или лазерном диоде) активной средой является полупроводниковый слой толщиной порядка 1 мкм, помещенный в p-n-переход. Полупроводниковый лазер — твердотельный лазер, в котором в качестве рабочего вещества используется полупроводник. В таком лазере, в отличие от лазеров других типов (в том числе и других твердотельных) 1. Полупроводниковые лазеры. 2. Создание инверсной населенности в полупроводниках.А ещё через год одновременно в СССР и США был создан полупроводниковый лазер. Создано множество полупроводниковых лазеров, отличающихся параметрами и прикладным значением. Малые лазерные диоды производят качественный пучок торцевого излучения, мощность которого колеблется от нескольких до пятисот милливатт. 1. Полупроводниковые лазеры. 2. Создание инверсной населенности в полупроводниках.А ещё через год одновременно в СССР и США был создан полупроводниковый лазер. 1.7. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР. В создании полупроводникового лазера приоритет принадлежит советским ученым.Для уменьшения ширины запрещенной зоны в полупроводник вводят примеси, которые создают отдельные местные энергетические зоны. Полупроводниковые лазеры составляют особую группу среди лазеров на основе твердого тела.Это позволяет создавать в активной области концентрацию избыточных носителей заряда, превышающую равновесную концентрацию этих носителей в широкозонном эмиттере Физика полупроводников становится как никогда актуальной.По этой причине первый полупроводниковый GaAs лазер был создан уже через несколько месяцев после первого светодиода. полупроводниковый квантовый генератор, Лазер с полупроводниковым кристаллом в качестве рабочего вещества.Чтобы получить генерацию когерентного излучения, т. е. лазерный эффект, необходимо создать особое состояние люминесцирующего кристалла Инжекционные полупроводниковые лазеры классифицируют за типом переходов. Различают лазеры, изготовленные на гомо- икоторое генерирует и усиливает свет, устройство для его возбуждения (накачки) оптический резонатор, который создает положительную обратную связь. Реферат на тему: Полупроводниковый лазер Лазерный диод — полупроводниковый лазер, построенный на базе диода.Верхний слой кристалла легируется для создания n-области, а в нижнем слое создают p-область. 1 50 лет полупроводниковому лазеру: история и перспективы. 2 Создание физических основ лазера 1900 г. М.Планк10) и голубые лазеры (430 нм). На основе гетероструктуры InGaN/AlGaN созданы лазеры работающие в диапазоне нм (сине-зеленый диапазон). В полупроводниковом лазере роль резонатора выполняют параллельные грани кристалла, создаваемые методом скола.Управление полупроводниковыми лазерами (лазерными диодами) обеспечивается схемотехническими средствами и потому оказывается относительно Модовое разделние для полупроводникового лазера на основе GaAs составляет dLw 0.3 нм. Для того чтобы лазер работал в одномодовомДля улучшения выходных характеристик гетероструктурного лазера в процессе получения гетероструктуры создают условия 9. полупроводниковые лазеры. В полупроводниковых лазерах используется инверсия населенностей, получаемая в полупроводниках с одним илиДве другие грани наклонены к плоскости p-n-перехода, чтобы не создавать в этом направлении условий для самовозбуждения. Год спустя появился первый газовый лазер с непрерывным излучением (Джаван, Беннет, Эриот - США). А ещё через год одновременно в СССР и США был создан полупроводниковый лазер.

Также рекомендую прочитать:


© —2018